当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。因此，其扩散电流为（)

A.A. 大于

B.B. 小于

C.C. 等于

A.大于

B.小于

C.等于

D.不确定

已知硅和锗PN结的反向饱和电流分别为10^-14A和10^-8A。若外加电压为-0.1V、0V、0.25V、0.45V、0.65V时，试求室温下各电流I，并指出电压增加0.2V时，电流增加的倍数。

A.变窄

B.变宽

C.变小

D.不变

A.随外加电压的增大，反向电流增大

B.随外加电压的增大，反向电流减小

C.随外加电压的增大，反向电流不变

D.随外加电压的增大，反向电流趋于稳定

A.PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态

B.雪崩击穿属于电击穿

C.齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的

D.稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的

A.截止

B.导通

C.击穿

D.饱和