题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
已知锗FN结的反向饱和电流为10-8A.当外加电压V为0.2V、0.36V及0.4V时,试求室温下流过PN结的电流I?由计算结果说明伏安特性的特点.
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第1题
已知硅和锗PN结的反向饱和电流分别为10-14A和10-8A。若外加电压为-0.1V、0V、0.25V、0.45V、0.65V时,试求室温下各电流I,并指出电压增加0.2V时,电流增加的倍数。
第3题
在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1mA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?
第4题
电工学第七版下册课后练习与思考题答案
14.3.2 为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关,而当环境温度升高时,又明显增大?
第7题
已知FET的特性曲线如下图所示,试判断它是哪一类场效应管?开启电压VTH或夹断电压VP约为多少?饱和电流IDSS约为多少?
第8题
第9题
A.FM≥G
B.FN>G
C.FO<G
D.FP>G
第10题
如图13-15a所示,等截面圆杆同时承受轴力FN、扭矩T和弯矩M的作用,要求用电测法分别测定轴力FN、扭矩T和弯矩M。试确定各自的测试方案,并分别建立轴力FN、扭矩T和弯矩M与应变仪读数应变εR之间的关系。已知材料的弹性常数和杆件的截面尺寸。
第11题
已知互感耦合线圈同名端顺向串联和反向串联电路分别如图a、b所示,外施电压,测得顺向串联时电流为I1=2.7A,电源提供功率为P=218.7W,反向串联时电流为I2=7A,试求互感系数M。