更多“光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（)。”相关的问题
第1题
根据采用的蚀刻剂不同，蚀刻可分为（)。
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第2题
光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统，光刻工艺中最主要的工艺控制项是条宽控制和（)。
A.对位控制
B.分辨率控制
C.粘附性控制
D.灵敏度控制
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第3题
光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统，光刻工艺中最主要的工艺控制项是（)和（)。
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第4题
CMOS工艺的两个核心是光刻和__________。
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第5题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（)。
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第6题
光刻的精度甚高，其尺寸精度可达到0.01-0.005mm是半导体器件和集成电路制造中的关键工艺之一。（)
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第7题
光刻工艺在集成电路生产中得到广泛应用，它有三要素，分别是（)、（)、和（)。
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第8题
超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有()。
超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（)。
A.高分辨率
B.高灵敏度
C.精密的套刻对准
D.大尺寸
E.低缺陷
第9题
采用熔融挤压成形的典型工艺为（)。
A.立体光刻
B.分层实体制造
C.熔融沉积成型
D.选择性激光烧结
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第10题
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（)。
A.150-200℃
B.200℃左右
C.250℃左右
D.300℃左右
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第11题
在液晶器件制造的工艺辅助材料中，切割刀轮的作用是（)
A.在玻璃表面划出刀痕
B.割断玻璃
C.在玻璃上做光刻标记
D.磨边
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