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[主观题]

在图P3.5电路中，已知OD门G1、G2输出高电平时输出端MOS管的漏电流为IOH（max)＝5μA；输出电流为IOL（max)＝10mA时，

在图P3.5电路中，已知OD门G₁、G₂输出高电平时输出端MOS管的漏电流为I_OH(max)＝5μA；输出电流为I_OL(max)＝10mA时，输出低电平为V_OL≤0.3V。若取V_DD＝5V，试计算在保证V_OH≥3.5V、V_OL≤0.3V的条件下，外接电阻R_P，取值的允许范围。

在图P3.5电路中，已知OD门G1、G2输出高电平时输出端MOS管的漏电流为IOH（max)＝5μA

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发布时间：2020-10-12

更多“在图P3.5电路中，已知OD门G1、G2输出高电平时输出端MOS管的漏电流为IOH（max)＝5μA；输出电流为IOL（max)＝10mA时，”相关的问题

第1题

在图题6.2（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ，G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。（1) 试计算电路

在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ，G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

(1) 试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T-和回差电压△V_T。

(2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端，试画出电压的波形。

在图题6.2（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ，G1和G2为CMOS

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第2题

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在图9．3．1(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10 kΩ，R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器，VDD=15 V。 (1)试计算电路的上限触发电平VT+，下限触发电平VT-和回差电压△VT． (2)若将图9．3．1(b)给出的电压信号加到图9．3．1(a)电路的输出端，试画出输出电压的波形。

在图9．3．1（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10 kΩ，R2=30 kΩ。G1和G2为C

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第3题

图P3.6是用输出端并联的OD门驱动CMOS反相器和与非门的电路。试计算当VDD＝5V时外接电阻RP阻值的合理范围。要求

图P3.6是用输出端并联的OD门驱动CMOS反相器和与非门的电路。试计算当V_DD＝5V时外接电阻R_P阻值的合理范围。要求OD门输出的高、低电平满足V_OH≥3.5V、V_OL≤0.3V。已知OD门G₁～G₃输出高电平时，每个输出端MOS管的漏电流为I_OH(max)＝10μA；输出低电平时，每个输出端MOS管输出电流的最大值为I_OL(max)＝4mA，输出低电平V_OL≤0.3V。CMOS反相器和与非门每个输入端的高电平输入电流和低电平输入电流最大值均为1μA。

图P3.6是用输出端并联的OD门驱动CMOS反相器和与非门的电路。试计算当VDD＝5V时外接电阻RP

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第4题

在图3-14中,用OC门G₁和G₂的并联输出驱动三极管开关电路.要求OC门输出高电平时“极管T饱

和导通,OC门输出低电平时三极管T截止.

已知OC门7403输出高电平时输出端三极管的蒲电流为在图3-14中,用OC门G1和G2的并联输出驱动三极管开关电路.要求OC门输出高电平时“极管T饱和导 ,输出为低电平时允许流入的最大负载电流为三极管T的电流放大系数β=50,集电极负载电阻饱和导通压降0.1V.饱和导通内阻.给定试求R取值的允许范围.

在图3-14中,用OC门G1和G2的并联输出驱动三极管开关电路.要求OC门输出高电平时“极管T饱和导

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第5题

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图10.60所示电路中G₁~G₄均为TTL门,已知各门I_OL（max)=16mA,I_OH（max)=200uA,I_{D(max)=1mA,I_IH(max)=40uA,试分析G1门输出高、低电平两种情况下电路能否正常工作.}

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第6题

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图2.3.5所示电路中，(a)图中的G₁、G₂均为CMOS门电路；(b)图中G₁、G₂和G₃均为TTL门电路，G₄为CMOS门电路。试写出Y₁和Y₂的逻辑表达式。

图2.3.5所示电路中，（a)图中的G1、G2均为CMOS门电路；（b)图中G1、G2和G3均为TT

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第7题

在图2.6(a)所示TTL门组成的电路中,已知OC门输出管截止时的漏电流IOH≥100μA,输出管导通时允许流

在图2.6（a)所示TTL门组成的电路中,已知OC门输出管截止时的漏电流IOH≥100μA,输出管导通时允许流

过的最大负载电流ILM≤15mA,输出Y的高、低电平满足U_OH≥3V,U_OL≤0.4V与非门G₁~G₅的输入特性如图2.6(b)所示,输入A、B的波形如图2.6(c)所示.

(1)写出函数Y的逻辑表达式.

(2)画出输出Y与输入A、B的对应波形.

(3)计算电阻R的取值范围.

在图2.6（a)所示TTL门组成的电路中,已知OC门输出管截止时的漏电流IOH≥100μA,输出管导

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第8题

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电路如图2.2.6所示。图中，G₁为三态门，G₂为TTL门。E控制端为低电平选通，试分别求出E为低电平及高电平两种情况下，开关S在闭合及断开两种状态下的电压表的测量值为多少？(设电压表内阻为20kQ)

电路如图2.2.6所示。图中，G1为三态门，G2为TTL门。E控制端为低电平选通，试分别求出E为低电

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第9题

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试计算图3．6．2(a)所示电路中门G最多可以驱动多少个负载门。已知G0和负载门G1，…，Gn均为LSTTL与非门，它们的输入特性和输出特性由图3．6．2(b)，(c)，(d)给出。由于功耗的限制，规定高电平输出电流不能超过400μA。要求门G0的输出电平满足VOH≥3．2 V，VOL≤0．25 V。

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第10题

取值1、0的二进制独立等概序列经（3，1，4)卷积编码（卷积编码器的约束长度K=4，移位寄存器级数为m=K－4

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取值1、0的二进制独立等概序列经（3，1，4)卷积编码（卷积编码器的约束长度K=4，移位寄存器级数为 (3)画出16QAM的信号空间图，并求出星座图中最小的欧式距离平方和平均能量之比(假设采用常规矩形星座，各星座点等概出现)。