晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

A.导体

B.绝缘导体

C.绝缘体

D.半导体

将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。

1).禁带宽度

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

2).电阻率、载流子迁移率

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

3).非平衡载流子寿命

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

外釉上皮

A.成釉器周边是一单层立方状细胞，胞浆少，含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散在的微丝，称为

B.细胞为星形，有长的突起，细胞之间以桥粒相互连接成网状，称为

C.由2～3层扁平细胞组成，细胞核卵圆形或扁平状，具有高的碱性磷酸酶活性，与釉质形成有关，称为

D.由单层细胞构成，整齐排列在成釉器凹面的基底膜上，与牙乳头相邻，以半桥粒将细胞固定在基底板上，主要细胞器位于细胞核远端，称为

E.在牙胚中央，内釉上皮局部增厚，且往往与釉索相连续，称为

内釉上皮

A.成釉器周边是一单层立方状细胞，胞浆少，含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散在的微丝，称为

B.细胞为星形，有长的突起，细胞之间以桥粒相互连接成网状，称为

C.由2～3层扁平细胞组成，细胞核卵圆形或扁平状，具有高的碱性磷酸酶活性，与釉质形成有关，称为

D.由单层细胞构成，整齐排列在成釉器凹面的基底膜上，与牙乳头相邻，以半桥粒将细胞固定在基底板上，主要细胞器位于细胞核远端，称为

E.在牙胚中央，内釉上皮局部增厚，且往往与釉索相连续，称为

星网状层

A.成釉器周边是一单层立方状细胞，胞浆少，含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散在的微丝，称为

B.细胞为星形，有长的突起，细胞之间以桥粒相互连接成网状，称为

C.由2～3层扁平细胞组成，细胞核卵圆形或扁平状，具有高的碱性磷酸酶活性，与釉质形成有关，称为

D.由单层细胞构成，整齐排列在成釉器凹面的基底膜上，与牙乳头相邻，以半桥粒将细胞固定在基底板上，主要细胞器位于细胞核远端，称为

E.在牙胚中央，内釉上皮局部增厚，且往往与釉索相连续，称为

中间层

A.成釉器周边是一单层立方状细胞，胞浆少，含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散在的微丝，称为

B.细胞为星形，有长的突起，细胞之间以桥粒相互连接成网状，称为

C.由2～3层扁平细胞组成，细胞核卵圆形或扁平状，具有高的碱性磷酸酶活性，与釉质形成有关，称为

D.由单层细胞构成，整齐排列在成釉器凹面的基底膜上，与牙乳头相邻，以半桥粒将细胞固定在基底板上，主要细胞器位于细胞核远端，称为

E.在牙胚中央，内釉上皮局部增厚，且往往与釉索相连续，称为