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[判断题]

可控硅按其技术性能分单相可控硅，双相可控硅，可关断可控硅和逆导可控硅。（)

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发布时间：2022-08-22

更多“可控硅按其技术性能分单相可控硅，双相可控硅，可关断可控硅和逆导可控硅。()”相关的问题

第1题

在单相半控桥式整流电路中,若变压器副边交流电压的有效值为300伏，应选用耐压至少为（)伏的可控

在单相半控桥式整流电路中,若变压器副边交流电压的有效值为300伏，应选用耐压至少为()伏的可控硅。

A.2KV

B.764V

C.450V

D.311V

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第2题

单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。（)

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第3题

可控整流电路如题11图所示，已知时，向可控硅T送入触发脉冲，则输出电压uo的有效值为（) A． B． C．110V D．

可控整流电路如题11图所示，已知

时，向可控硅T送入触发脉冲，则输出电压u_o的有效值为( )

A．

B．

C．110V

D．220V

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第4题

电力系统的负载，按其对电源的要求可分为（)。A、单相负载和双相负载B、双相负载和三相负载C、单

电力系统的负载，按其对电源的要求可分为()。

A、单相负载和双相负载

B、双相负载和三相负载

C、单相负载和三相负载

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第5题

可控硅在可控硅整流、调压、无触点开关和逆变等方面获得广泛应用。（)

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第6题

同一型号的可控硅的触发电压、电流完全相同。（)

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第7题

可控硅内部由（)层半导体交叠而成。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第8题

电除尘整流柜内可控硅或可控硅保护元件击穿，是因为（)。

A.阻容吸收元件损坏

B.阻容吸收原件损坏，可控硅质量不良或安装不好

C.可控硅质量不良或安装不好

D.可控硅质量虽不良但安装正常

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第9题

可控硅管是具有三个PN结的四层半导体。（)

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第10题

可控硅导通和截止两个工作状态和()等因素有关。

A.阳极电压

B.阳极电流

C.可控硅内阻

D.控制极电流

E.导通角

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第11题

三相可控硅整流电路中，每个可控硅承受的最大反向电压是二次（)。

A.相电压值

B.相电压峰值

C.线电压值

D.线电压峰值

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