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[单选题]

电除尘整流柜内可控硅或可控硅保护元件击穿,是因为()。

A.阻容吸收元件损坏

B.阻容吸收原件损坏,可控硅质量不良或安装不好

C.可控硅质量不良或安装不好

D.可控硅质量虽不良但安装正常

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更多“电除尘整流柜内可控硅或可控硅保护元件击穿,是因为()。”相关的问题

第1题

可控硅整流装置的过流保护有哪些?

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第2题

可控整流电路如题11图所示,已知时,向可控硅T送入触发脉冲,则输出电压uo的有效值为() A. B. C.110V D.
可控整流电路如题11图所示,已知时,向可控硅T送入触发脉冲,则输出电压uo的有效值为( )

A.

B.

C.110V

D.220V

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第3题

晶体管触发的可控硅整流电路常用的同步波形为()。

A.尖脉冲

B.窄短形脉冲

C.负脉冲

D.锯齿波

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第4题

可控硅整流输出电压低,电流小。若同步脉冲的电压幅值小于要求的电压值,则稳压二极管V2有故障。()
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第5题

可控硅工作在整流电路中,在其承受正向电压的时问内,改变()的大小可以在负载上得到不同数值的直流电压。

A.输入电压

B.输入电流

C.电阻

D.控制角

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第6题

整流元件击穿形成短路时,将引起() 保护作用,使主断路器分断。

A.网侧短路

B.整流器侧短路

C.牵引电机过流

D.牵引电机过压

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第7题

在单相半控桥式整流电路中,若变压器副边交流电压的有效值为300伏,应选用耐压至少为()伏的可控

在单相半控桥式整流电路中,若变压器副边交流电压的有效值为300伏,应选用耐压至少为()伏的可控硅。

A.2KV

B.764V

C.450V

D.311V

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第8题

可控硅导通和截止两个工作状态和()等因素有关。

A.阳极电压

B.阳极电流

C.可控硅内阻

D.控制极电流

E.导通角

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第9题

可控硅桥式移相触发电路,触发信号为正弦波,故导通点不稳定。 ()
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第10题

可控硅由两只三极管构成。此题为判断题(对,错)。
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第11题

下列()触发方式不属于可控硅触发电路。

A.电容器触发

B.锯齿波移相触发

C.正弦波同步触发

D.集成电路触发

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