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[主观题]

PN 结电容等效为势垒电容和扩散电容相(),当外加电压为正偏时,()电容决定了结电容的大小。

PN 结电容等效为势垒电容和扩散电容相(),当外加电压为正偏时,()电容决定了结电容的大小。

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更多“PN 结电容等效为势垒电容和扩散电容相(),当外加电压为正偏时,()电容决定了结电容的大小。”相关的问题

第1题

PN结电容分为()

A.势垒电容

B.扩散电容

C.涤纶电容

D.瓷片电容

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第2题

PN具有电容效应,当外加正向电压时以什么为主。()

A.扩散电容

B.不确定

C.线性电容

D.势垒电容

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第3题

关于半导体二极管的主要参数,下列()说法不正确。

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第4题

PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。()
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第5题

PN结的电容由势垒电容和()电容两部分组成。

A.扩散

B.渗透

C.结间

D.电解

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第6题

pn结加负偏压时,是以势垒电容为主。()
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第7题

在晶体管T型等效电路中,高频情况下,集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗,因此并联情况下,集电极电阻可以忽略。()
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第8题

当一个Si材料PN结外加反向电压时,它的耗尽层变宽,势垒增强。因此,其扩散电流为()

A.无穷大

B.毫安数量级

C.0mA

D.微安数量级

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第9题

下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

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第10题

PN结势垒区电势最低的位置是()。

A.靠近P区的势垒区边界

B.靠近N区的势垒区边界

C.PN结界面处

D.电势处处相等

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