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题目内容
（请给出正确答案）
设n体交叉编址(低位交叉)存储器中每个体的存储字长等于数据总线宽度，每个体存取一个字的存取周期为T，总线传输周期为t，T与t的关系以及读取地址连续的n个字需要的时间分别是()。
A． T=t，T+n×t
B． T=(n一1)×t，T+n×t
C．T=n×t，T+n×t
D． T=n×t，T+(n一1)×t
答案
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第1题
下列说法不正确的是()。
A．单体多字存储器能提高存储器频宽
B．多体存储器低位交叉编址能提高存储器频宽
C．多体存储器高位交叉编址便于扩大存储器容量
D．多体存储器高位交叉编址能提高存储器频宽
第5题
n体(模n)交叉编址存储器在()时，其存取带宽是单体存储器的n倍。
A．连续访存的n个地址是针对同一个存储模块
B．任何情况下都能
C．连续访存的n个地址是针对不同的存储模块
D．任何情况下都不能
第6题
第7题
交叉编址的存储器实质是一种________存储器，它能________执行________独立的读／写操作。
A．模块式，并行，多个
B．模块式，串行，多个
C．整体式，并行，一个
第10题
对汇编语言程序员而言，下列选项中不透明的是()。 Ⅰ．主存储器的模m交叉存取 Ⅱ．指令寄存器 Ⅲ．Cache存储器 Ⅳ．通用寄存器的个数 Ⅴ．存储器的最小编址单位 Ⅵ．I／O系统是否采用通道方式 Ⅶ．采用流水技术来加速指令的解释 Ⅷ．流水线中的相关专用通路的设计
A．Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ
B．Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ
C．Ⅶ、
D．Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
