对于NPN型三极管，当VBE>0、VBE>VCE时，则工作于放大状态（）

A.截止区

B.放大区

C.饱和区

D.击穿区

A.VBE〉0VBC〉0

B.VBE〉0VBC〈0

C.VBE〈0VBC〉0

D.VBE〈0VBC〈0

一NPN型硅晶体三极管，已知I_CBO=5pA，I_B=14.5μA，I_C=1.45mA，设V_BE(on)=0.7V，试求、I_S、_ICEO。

图LP2-14(a)所示放大电路中，硅NPN晶体三极管β=100，ICEO≈0，IC=2 mA，VBE(on)=0．7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5～7)V，试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管，电源电压数值不变，试问晶体管与外电路应如何连接，为保持集电极电压|VO|、电流IC不变，试计算R1、R2值。

在图2-18所示的电路中，已知管子的β=100，V_BE(on)=-0.7V，I_CQ=-2.17mA，r_ee不计，信号源v_s=0.1sinωtV，R_s=10kΩ，R_B=12.5kΩ。设r_bb'=0，试求三极管各极电压和电流值，即i_B、v_BE、i_C、v_CE。

电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时V_be=0.7V，饱和时V_ces=0.3V，β=100；OC门G₁输出管截止时的漏电流约为50μA，饱和导通时最大允许灌电流I_LM=10mA，输出低电平V_OL=0.3V；TTL与非门输入特性如图(b)所示。要求三极管集电极输出端P为高电平时V_PH=3.5V，低电平时V_PL=0.3V。试问：

在图3．3．1中，计算当输入电压v1分别为0V，+5V，悬空时输出电平v0的数值，并指出三极管各工作在什么状态。假定三极管导通以后vBE≈0．7 V。

A.随着温度的升高，三极管的主要参数也受到影响，Iceo、Icb、电流放大系数β、V(BR)ceo、V(BR)cbo都随之提高

B.温度对与三极管输入特性曲线的影响.在基极电流相同的条件下，温度每升高1℃，Vbe将减小2mV~2.5mV

C.对于输出特性的影响在于随着温度的升高，三极管的Iceo、Icbo,电流放大系数β都将增大

D.随着温度的升高三极管的输出特性曲线下移，而且各条曲线间的距离变小

电路如图LT2-2所示，已知VBE(on)=0．7 V，VCE(sat)≈0．3 V，试判断三极管工作状态，并计算三极管集电极电位VC。

A.＞0、＞0

B.＞0、＜0

C.＜0、＞0

D.＜0、＜0