上芯烘箱推晶强度频次为().

A、2

B、3

C、4

D、5

A.1次/更换晶圆

B.1次/更换产品

C.1次/更换客户

D.1次/更换封装形式

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次

B.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

C.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

D.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D、在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

A.添加框架

B.更换晶圆

C.更换点胶头

D.更换粘片胶

A.上芯机

B.推晶机

C.显微镜

D.移栽机

A.测量显微镜

B.推晶机

C.x-ray透视机

D.上芯机

A.测量显微镜

B.推晶机

C.x-ray透视机

D.上芯机

A、1次/添加框架

B、1次/更换产品

C、1次/更换晶圆

D、1次/更换吸嘴