电力MOSFET的通态电阻具有负的温度系数,并联使用时具有电流自动均衡的能力,易于串联使用。（)

IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。( )

A.功率小

B.开关频率低

C.通态压降高

D.损耗功率大

A.电压

B.电流

C.电阻

D.电感

电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。

A.电压

B.电流

C.电阻

D.功率

已知下图所示各MOSFET管的V_T，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态(导通或截止)。

题图所示电路是用MOSFET构成的逻辑电路，已知R_L=20kΩ，U_S=5V，MOSFET的导通电阻_R_M=200Ω，U_A和U_B只取5V(逻辑1)或0V(逻辑0)，求出U_A和U_B所有组合状态下电路的输出电压U_O，并判断该电路的逻辑功能。