可控硅元件由开断变为导通时，控制极将（)作用。

A.交流

B.直流

C.脉动

D.正弦

A.阳极电压

B.阳极电流

C.可控硅内阻

D.控制极电流

E.导通角

A.阳极与阴极

B.阳极与控制极

C.阴极与控制极

D.两个控制极

A阳极和阴极间加反向电压

B升高阳极电压

C降低阴极电压

D断开控制电路

A.阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压

B.阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压

C.阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压

D.阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压

A.三极管

B.二极管

C.电阻

D.晶闸管

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

A.A—K之间加正向电压

B.A—K之间加反向电压

C.G—K之间加反向电压

D.减小触发极电流