一般来说，本征半导体的导电能力（)，当掺入某些适当微量元素后其导电能力（)。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

A.导热

B、导电

C、导磁

D、导光

硅的禁带宽度E_g=1.1eV，当掺入少量杂质磷(△E_D=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限？

A.导体

B.绝缘体

C.半导体