禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对

B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度

C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量

D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度

A.中性区

B.欧姆电极

C.耗尽区

D.扩散区

A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子

B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度

C.非平衡电子和空穴成对产生

D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子

A.能带

B.价带

C.导带

D.禁带

A.价带多于禁带

B.导带多于价带

C.价带多于导带

D.导带多于禁带

A.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中

B.一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的

C.一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中

D.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中

A.间接复合是通过复合中心完成的复合

B.表面复合也是间接复合

C.间接复合过程中，电子先从导带跃迁到复合中心能级，再跃迁到价带与空穴复合

D.间接复合是通过禁带中线完成的复合

E.间接复合是通过费米能级完成的复合

F.间接复合是电子和空穴直接相遇而复合

A. 导带底能级

B. 价带顶能级

C. 费米能级

D. 施主能级

A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。

B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。

C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。

D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带