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（请给出正确答案）
设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S/λ2X2，反射波的声压与缺陷面积S成()比，同时与缺陷距离X的()成反比而()。面积为As的晶片近场距离为N，当距离在1.6N以外时,这个算式可以认为基本上是成立的。
答案
更多“设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S£¯λ2X2，反射波的声压与缺”相关的问题
第2题
块规高度稍有差别，而与上面的玻璃平板形成空气劈尖，设入射光波λ=589.3nm，两块规距离L=5.0cm，空气劈尖上条纹间距均为l=0.05mm，试求两块规高度差△h。
第3题
第4题
第6题
对无限电介质平面的电磁波的反射和折射问题,当入射波电场与入射面垂直时,成立
式中E、E'和E"分别为入射波、反射波和折射波的电场强度,
1和
2为介电常量.θ和θ"为入射角和折射角,电磁波从一侧入射,两侧介质的磁导率均设为
0.
(1)计算能流密度S、S'和S",证明n
s+n S'=n
S",n为界面法问矢量.
(2)确定反射系数.
第8题
第9题
凝汽式汽轮机的蒸汽初参数：p0=8.83MPa，温度t0=530℃，汽轮机排汽压力pc=0.0034MPa，全机理想焓降△Ht=1450kJ/kg，其中调节级理想焓降=209.3kJ/kg，调节级相对内效率=0.5，其余各级平均相对内效率=0.85。假定发电机效率ηg=0.98，机械效率ηm=0.99。试求：
第11题
有平凸透镜r1=100mm，r2=∞，d=300mm，n=1.5，当物体在-∞时，求高斯像的位置。在第二面上刻一个十字丝，问其通过球面的共轭像在何处？当入射高度h=10mm时，实际光线的像方截距为多少？与高斯像面的距离为多少？
