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题目内容
（请给出正确答案）
下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。
A．刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电
B．刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现
C．由于DRAM内部设有专门的刷新电路，所以访存期间允许进行刷新
D．刷新期间不允许访存，这段时间称为“访存死区(也叫死时间)”
答案
更多“下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是（)。A．刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电B．刷新是通”相关的问题
第1题
下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。
A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元
B．刷新所需的行地址是由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出
C．集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”
D．分散刷新方式同样存在“死时间”
第2题
A.提供DRAM刷新定时
B.按照DRAM刷新优先于读写的原则为DRAM提供仲裁
C.通过仲裁可以避免读写和刷新操作的冲突
D.产生符合DRAM操作的控制信号
第3题
A．RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类
B．SRAM的集成度比DRAM高
C．DRAM的存取速度比SRAM快
D．DRAM中存储的数据无须“刷新”
第4题
下列关于存储器的论述中，正确的是()。
A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高
B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”
C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新
D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高
第5题
A.RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类
B.SRAM的集成度比DRAM高
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.DRAM中存储的数据无须刷新
第6题
A.静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新
B.DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失
第7题
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第10题
A.静态RAM基本存储单元体积大，成本高，但读写速度快
B.动态RAM基本存储单元体积小，成本低，但读写速度慢
C.动态RAM需要定期刷新
D.静态RAM主要用于构成主存
