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[主观题]

地址总线A0(高位)~A15(低位),用4K×4位的存储芯片组成16KB存储器,则产生片选信号的译码器的输入地

地址总线A0(高位)~A15(低位),用4K×4位的存储芯片组成16KB存储器,则产生片选信号的译码器的输入地址线应该是()。

A.A2A3

B.A0A1

C.A12A13

D.A14A15

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更多“地址总线A0(高位)~A15(低位),用4K×4位的存储芯片组成16KB存储器,则产生片选信号的译码器的输入地”相关的问题

第1题

用2K×4位/片的存储芯片组成容量为8K×8位的存储器,地址总线A15~A0(低)。双向数据总线D7~D0(低)
用2K×4位/片的存储芯片组成容量为8K×8位的存储器,地址总线A15~A0(低)。双向数据总线D7~D0(低)

,读/写信号线R/W。请回答:

1、画出该存储芯片级逻辑图,包括地址总线、数据线、片选信号线(低电平有效)及读/写信号线的连接。

2、将地址总线A15~A0中的哪几位分配给存储芯片,并写出各片选信号的逻辑式,即

CS0=?CS1=?CS2=?CS3=

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第2题

8088CPU端口地址使用的地址总线是A15~A0,能访问的端口地址空间是()。

A.640KB

B.1MB

C.64KB

D.32KB

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第3题

设计存储器。 地址总线A15~A0(低),存储器地址空间为3000H~67FFH,按字节编址。其中,3000H~4FFF

设计存储器。 地址总线A15~A0(低),存储器地址空间为3000H~67FFH,按字节编址。其中,3000H~4FFFH为ROM区,选用EPROM芯片(4K×2位/片);5000H~67FFH为RAM区,选用DRAM芯片(2K×4位/片)。 (1)据存储器容量,EPROM芯片和DRAM芯片各需多少片?分别选择一个正确答案。 (a)EPROM芯片 (b)DRAM芯片 ①4片②6片③8片④12片 (2)EPROM芯片和DRAM芯片各连入哪几根地址线?分别选择一个正确答案。 (a)EPROM芯片 (b)DRAM芯片 ①A10~A0②A12~A0③A11~A0④A9~A0 (3)分别写出5个片选信号CS0、CS1、CS2、CS3、CS4的逻辑式。

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第4题

如图所示,若低位地址(A0~A11)接在内存芯片地址引脚上,高位地址(A12~A19)进行片选译码(其中,A14和

如图所示,若低位地址(A0~A11)接在内存芯片地址引脚上,高位地址(A12~A19)进行片选译码(其中,A14和A16没有参加译码),且片选信号低电平有效,则对图所示的译码电路,不属于此译码空间的地址是()。 [*]

A.AB000H~ABFFFH

B.BB000H~BBFFFH

C.EF000H~EFFFFH

D.FE000H~FEFFFH

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第5题

用16k×8位的SRAM芯片构成64K×16位的存储器,要求画出该存储器的组成逻辑框图。存储器容量为64K
×16位,其地址线为16位(A15—A0),数据线也是16位(D15—D0)SRAM芯片容量为16K×8位,其地址线为14位,数据线为8位,因此组成存储器时须字位同时扩展。

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第6题

1/O接口电路中,下面()不能参与译码

A.M/IO#

B.A16~A19

C.A0~A15

D.RD#、WR#

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第7题

RAM6116芯片有2Kx8位的容量,它的片内地址选择线和数据线分别是()。

A.A0~A15和D0~D15

B.A0~A10和D0~D7

C.A0~A11和D0~D7

D.A0~A11和D0~D15

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第8题

设计16位比较器,比较器的输入是2个待比较的16位数:A=[A15…A0],B=[B15…B0],输出是 D、E、F。当 A=B 时,D=1;当 A>B 时, E=1;当 A

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第9题

图22.17是用ROM构成的七段译码电路框图。A4~A0为ROM的输入端。A3~A0是数据输入端,最高位A4只用作试灯输入端(L

图22.17是用ROM构成的七段译码电路框图。A4~A0为ROM的输入端。A3~A0是数据输入端,最高位A4只用作试灯输入端(LT)。当LT=1时,不论二进制数码A3A2A1A0为何值,数码管七段全亮。当LT=0时,数码管则显示四位二进制数所对应的十进制数码。半导体数码管为共阴极接法。试列出实现上述逻辑要求的ROM功能表,并画出ROM的阵列图。

图22.17是用ROM构成的七段译码电路框图。A4~A0为ROM的输入端。A3~A0是数据输入端,最

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第10题

对于全硫大于()的试样,用滴加试剂方法,可提高高位和低位发热量的精度。

A.3%

B.2%左右

C.2%

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