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[主观题]

若某存储器存储周期为250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传输率是（）。A．4×106B／sB．4MB／sC．

若某存储器存储周期为250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传输率是（）。

A．4×106B／s

B．4MB／s

C．8×106B／s

D．8MB／s

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发布时间：2019-06-25

更多“若某存储器存储周期为250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传输率是（）。A．4×106B／sB．4MB／sC．”相关的问题

第1题

若存储周期250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传送率为( )。

A.4×106B/s

B.4MB/s

C.8×106B/s

D.8MB/s

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第2题

若存储周期为250ns，每次读出32位，则该存储器的数据传输率为（)。

A.4×106字节/秒

B.4M字节/秒

C.16×106字节/秒

D.8M字节/秒

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第3题

存储周期是指( )。

A.存储器的读出时间

B.存储器的写入时间

C.存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔

D.存储器进行一次读和写操作所用时间的统计平均值

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第4题

CPU执行一段程序时，Cache完成存取的次数为2000次，主存完成存取的次数为180次，已知Cache存储周

期为40ns，主存存储周期为250ns，求Cache的命中率、Cache/主存系统的效率和平均访问时间。

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第5题

100Hz倍频彩电中，若两个色差信号R-Y、B-Y写入存储器的时钟频率若为16MHz，则读出信号的时钟频率为()。

100Hz倍频彩电中，若两个色差信号R-Y、B-Y写入存储器的时钟频率若为16MHz，则读出信号的时钟频率为（)。

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第6题

对某顺序访问存储器，设相邻两字的访问间隔为10ns，若在时刻为100ns时读出第五个字，则在140ns时，读出的是第______个字。

A.4

B.9

C.8

D.16

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第7题

动态半导体存储器的特点是( )。

A.在工作中存储器内容会产生变化

B.每次读出后，需要根据原存内容重新写入一遍

C.每隔一定时间，需要根据原存内容重新写入一遍

D.在工作中需要动态改变访存地址

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第8题

存储器的带宽是指________，如果存储周期为TM，存储字长为n位，则存储器带宽为________，常用的单位

是________或________。为了加大存储器的带宽可采用________和________。

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第9题

OTS中某秒内发生了10次读操作，其中5次每次操作读出当行数据大小为2.78KB，另外5次操作读出当行数据大小为5.36KB，则共消耗多少？（)

A.11CU

B.20CU

C.10CU

D.15CU

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